जर्नल ऑफ़ नैनोसाइंस एंड नैनोटेक्नोलॉजी रिसर्च खुला एक्सेस

आयतन 3, मुद्दा 1 (2019)

समीक्षा लेख

Insights of Trap Level Effect on the Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT)

  • Zhenzhong Yu*, Huiwu Hong, Qigao Fan and Yixin Zhu

शोध आलेख

Hydrothermal Synthesis of Copper Sulfide Flowers and Nanorods for Lithium-Ion Battery Applications

  • Shurui Yang, Yan Ran, Huimin Wu, Shiquan Wang, Chuanqi Feng and Guohua Li